גליום אנטימוניד

מתוך המכלול, האנציקלופדיה היהודית
קפיצה לניווט קפיצה לחיפוש

שגיאת לואה ביחידה יחידה:תבנית_מידע בשורה 261: תבנית תרכובת ריקה.

מבנה תא היחידה של גליום אנטימוניד (מבנה צינק בלנדה)
מבנה תא היחידה של גליום אנטימוניד (מבנה צינק בלנדה)

גליום אנטימוניד או גליום אנטימוני (כתיב כימי: Gallium antimonide ,GaSb) הוא תרכובת מוליכה למחצה של גליום ואנטימון ממשפחת החומרים III-V (אנ'). יש לו קבוע סריג של בערך 0.61 ננומטר. אנרגיית פער הפסים שלו היא 0.822 אלקטרון וולט ב-0 מעלות קלווין, ו-0.725 אלקטרון וולט ב-300 מעלות קלווין.[1]

היסטוריה

התרכובת הבין-מתכתית GaSb הוכנה לראשונה בשנת 1926 על ידי ויקטור גולדשמידט (אנ'), שהגיב את היסודות באטמוספירה של גז אינרטי ודיווח על קבוע הסריג של GaSb, שעודכן מאז.[1] דיאגרמת הפאזות Ga-Sb נחקרה ב-1955 על ידי קוסטר (Koster)[2] ועל ידי גרינפילד.[3]

יישומים

ניתן להשתמש ב-GaSb עבור גלאי אינפרא אדום, נוריות אינפרא אדום (LED), לייזרים וטרנזיסטורים, ומערכות להמרה תרמו-פוטוולטאית (אנ').

ראו גם

קישורים חיצוניים

הערות שוליים

  1. ^ 1.0 1.1 P. S. Dutta, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, The physics and technology of GaSb: an emerging optoelectronic materials, Journal of Applied Physics, 1997, עמ' 5821
  2. ^ Köster, Werner and Thoma, Berthold. "Aufbau der Systeme Gallium-Antimon, Gallium-Arsen und Aluminium-Arsen" International Journal of Materials Research, vol. 46, no. 4, 1955, pp. 291-293. https://doi.org/10.1515/ijmr-1955-460408
  3. ^ Greenfield, I.G., Smith, R.L. Gallium-Antimony System. JOM 7, 351–353 (1955). https://doi.org/10.1007/BF03377506
הערך באדיבות ויקיפדיה העברית, קרדיט,
רשימת התורמים
רישיון cc-by-sa 3.0

39215853גליום אנטימוניד